◆ 納米粒度及電位分析儀相關技術 ◆

動態(tài)光散射技術

動態(tài)光散射技術DLS，又稱作光子相關光譜PCS或者準彈性光散射。該技術檢測由于顆粒布朗運動而產(chǎn)生的散射光的波動隨時間的變化。其中小顆粒造成的散射光信號波動較快，大顆粒造成的散射光信號波動較慢。APD檢測器將散射光信號轉化為電信號，再通過數(shù)字相關器的運算處理，得到顆粒在溶液中擴散的速度信息，即擴散系數(shù)D。通過Stokes-Einstein方程可以得到顆粒、大分子的尺寸，即流體力學直徑D_H及其分布。

BeNano智能尋找檢測點位置的背向動態(tài)散射技術

通過透鏡的移動可以實現(xiàn)將檢測點在樣品池中央到邊緣任意位置的移動設置?？梢宰畲蟪潭壬霞骖櫜煌N類、不同濃度樣品的檢測需求。在實際檢測過程中，根據(jù)樣品濃度、大小、散射能力，對于每個特定樣品確認其檢測位置和激光的強度，以達到測試條件和測試準確性。

作用：

● 高濃度樣品粒徑測試

毛細管粒徑池

微量樣品檢測的需求一直存在，尤其是對于樣品極為珍貴的生物制藥領域，目前的低容量樣品池具有加樣容易產(chǎn)生氣泡，清洗困難，成本較高等等問題。BeNano-系列納米粒度電位儀使用了一種新穎的毛細管檢測技術，具有樣品量更低（僅需3-5μL）樣品，加樣方便，清洗便捷，成本低廉，能有效防止大顆粒沉降等特點，為具有極微量樣品測試需求的用戶提供了現(xiàn)實可行的解決方案。

作用：

● 極微量樣品測試

● 大顆粒樣品測試

電泳光散射技術

分散在液體中的顆粒往往在表面攜帶一定量電荷，這些電荷會使顆粒在溶液中形成一個超過顆粒表面界限的雙電層。顆粒的電勢在顆粒的表面最大，稱作表面電位（surface potential），在嚴密電位層的電位稱作嚴密層電位（Stern potential），在顆粒的滑移層的位置的電勢值稱作Zeta電位。顆粒的Zeta電位與顆粒之間的相互作用力息息相關，較高的Zeta電位有利于防止顆粒團聚，維持體系的穩(wěn)定性。

電泳光散射ELS技術是一種光學的測試技術，通過檢測顆粒電泳運動產(chǎn)生的散射光的多普勒頻移，進而分析原始的光學信號得到顆粒的電泳速度信息，由亨利方程建立起的顆粒電泳速度和Zeta電位的關系最終得到顆粒在當前體系中Zeta電位和Zeta電位分布信息。

相位分析光散射

傳統(tǒng)的電泳光散射技術ELS是通過相關器處理得到的樣品拍頻信號，進而計算散射光的頻率差Δf ，丹東百特儀器公司在傳統(tǒng)電泳光散射技術的基礎上，開發(fā)出了全新的用于檢測顆粒Zeta電位的相位分析光散射技術PALS，可以通過一個測試同時得到Zeta電位的平均值和分布值信息。

BeNano相位分析光散射技術，是通過解析原始信號的相位Φ信息從而得到散射光的頻率信息，相位隨時間的變化dΦ/dt正比于頻率變化Δf。相位分析光散射技術可以極大程度的降低顆粒的布朗運動等等因素對于測試結果的影響，從而得到更高的統(tǒng)計學精度。從應用角度而言通過PALS技術可以有效檢測等電點附近，高鹽濃度下極慢電泳速度的顆粒的Zeta電位信息。

         作用：

         ●低電泳遷移率樣品測試

         ●高鹽濃度樣品Zeta電位測試

         ●電中點附近樣品Zeta電位測試

可拋棄毛細管電極和插入式電極

BeNano采用毛細管電極和插入電極進行Zeta電位測試，其中：

●毛細管電極的電極距離 5cm，避免對樣品加熱，電場更均勻，可避免交叉污染，適合高極性體系。樣品池僅4mm厚度，最高可檢測 40%濃度樣品，可拋棄，節(jié)約使用成本。

●插入式電極適合有機相樣品使用

分子量的測量

靜態(tài)光散射技術SLS，檢測顆粒、大分子物質的平均散射光強，通過瑞利散射方程將散射光強與大分子物質的絕對分子質量和第二維利系數(shù)A₂等信息聯(lián)系起來。

其中c為樣品的濃度，θ為測量的角度（散射角），R_θ 為θ角方向的瑞利散射比，Mw 為重均分子量，A₂ 為第二維利系數(shù)，K為與（dn/dc）²相關的常數(shù)。

使用BeNano進行測試，在檢測過程中，配制一系列不同濃度的溶液，分別檢測其散射光強，并轉化為不同散射光強下的瑞利比，通過以Kc/R_θ對濃度外推的Debye曲線，得到分子量和代表分子間相互作用的A₂信息。